MUN5311DW1T1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MUN5311DW1T1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MUN5311DW1T1 из полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный Mosfet, предназначенный для эффективного управления энергетикой в ​​различных электронных приложениях. Этот IC-чип имеет ультра-низкую на растяжении (RDS (ON)) 0,9 МОм при VGS = 10 В, обеспечивая минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Его надежная конструкция поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывный канатный ток (ID) до 141A, что делает его идеальным для требовательных задач переключения питания. MUN5311DW1T1 работает в пределах заряда затвора (QG) 27 NC, обеспечивая быстрые скорости переключения и снижение потребления энергии в высокочастотных цепях. Это устройство, размещенное в компактном пакете D2PAK-7 (TO-263-7), предлагает превосходные тепловые характеристики, способствуя надежной работе в суровых условиях. Благодаря превосходным электрическим характеристикам и прочной конструкции, MUN5311DW1T1 хорошо подходит для автомобильной, промышленной и потребительской электроники, включая управление двигателем, преобразователи DC-DC и системы управления аккумуляторами. Он придерживается строгих стандартов AEC-Q101, обеспечивая долговечность и качество для автомобильных приложений. Назначьте нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!