| Номер детали производителя : | SIRA60DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Состояние на складе : | 65390 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SIRA60DP-T1-GE3.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SIRA60DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 65390 pcs |
| Спецификация | SIRA60DP-T1-GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.94 mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 57W (Tc) |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Другие названия | SIRA60DP-T1-GE3CT |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 32 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7650pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
| Подробное описание | N-Channel 30V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |







MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8