IRFD113

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для IRFD113, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. IRFD113, изготовленный Harris Corporation, представляет собой высокопроизводительный MOSFET режима истощения N-канала, предназначенный для широкого спектра аналоговых и цифровых переключающих приложений. Это устройство оснащено исключительно низким уровнем устойчивости и высокоскоростным переключением, что делает его идеальным для использования в усилителях питания радиочастотного периода, расходных материалах режима переключения и модуляции модуляции импульса. IRFD113 работает эффективно при напряжении до 60 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 4А, обеспечивая надежную производительность в требовательных средах. Его конструкция режима истощения позволяет MOSFET проводить ток с нулевым напряжением в затворе к источникам, обеспечивая неотъемлемая функциональность без внешнего смещения. Кроме того, IRFD113 предлагает отличную тепловую стабильность и надежность, поддерживаемую его компактным пакетом TO-92, который облегчает легкую интеграцию в различные конструкции схемы. Этот универсальный компонент широко распространен в телекоммуникациях, промышленном контроле и потребительской электронике для ее надежной и эффективной работы. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.