RF103L2STE25

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN RF103L2STE25, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. RF103L2STE25, изготовленный ROHM Semiconductor, является высоким -Пократный MOSFET, предназначенный для приложений, требующих превосходной производительности в компактных пространствах. Это устройство имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 25 В и ток слив (ID) до 3А, что делает его идеальным для РЧ и высокоскоростных применений переключения. Его ключевое преимущество заключается в его низкой устойчивости и быстрой скорости переключения, что способствует высокой эффективности и снижению тепла. RF103L2STE25 особенно хорошо подходит для использования в RF-усилителях, системах управления питанием и высокочастотных инверторов, где эффективность пространства и надежность имеют первостепенное значение. Кроме того, его надежный дизайн обеспечивает стабильную работу в различных условиях окружающей среды, повышая его универсальность в промышленной и потребительской электронике. Проблема не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.