Номер детали производителя : | APT25SM120B | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Microsemi | Состояние на складе : | - |
Описание : | SICFET N-CH 1200V 25A TO247 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | APT25SM120B(1).pdfAPT25SM120B(2).pdfAPT25SM120B(3).pdfAPT25SM120B(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | APT25SM120B |
---|---|
производитель | Microsemi |
Описание | SICFET N-CH 1200V 25A TO247 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | APT25SM120B(1).pdfAPT25SM120B(2).pdfAPT25SM120B(3).pdfAPT25SM120B(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (макс.) | +25V, -10V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 175W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
SICFET N-CH 1200V 25A D3
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
MOSFET N-CH 1200V 27A TO264
IGBT 1200V 54A 347W TO247
IGBT 1200V 54A 347W TO247
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227