Номер детали производителя : | APTM60A23FT1G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Microsemi | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | APTM60A23FT1G(1).pdfAPTM60A23FT1G(2).pdfAPTM60A23FT1G(3).pdfAPTM60A23FT1G(4).pdfAPTM60A23FT1G(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | APTM60A23FT1G |
---|---|
производитель | Microsemi |
Описание | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | APTM60A23FT1G(1).pdfAPTM60A23FT1G(2).pdfAPTM60A23FT1G(3).pdfAPTM60A23FT1G(4).pdfAPTM60A23FT1G(5).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | SP1 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276mOhm @ 17A, 10V |
Мощность - Макс | 208W |
Упаковка / | SP1 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Chassis Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5316pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 165nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A |
конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Базовый номер продукта | APTM60 |
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
MOSFET N-CH 500V 163A MODULE
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
MOSFET N-CH 500V 149A MODULE
MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
MOSFET N-CH 500V 497A SP6