STB200NF04T4

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN STB200NF04T4, к счастью, вы попадете в нужно Stmicroelectronics, глобальный лидер в области полупроводниковых решений. Эта конкретная модель представляет собой N-канальный режим улучшения MOSFET, предназначенный для высокочастотных приложений переключения. С максимальным напряжением источника источника (V (DS)) 40 В и максимальным непрерывным током дренажа (I (D)) 200a при 25 ° C, он обеспечивает исключительную производительность и надежность. Его низкое сопротивление в штате (R (DS (ON))) сводит к минимуму потери проводимости, что делает его идеальным для энергоэффективных конструкций.

Ключевые особенности STB200NF04T4 включают высокую скорость переключения, что полезно для уменьшения потерь переключения, и его надежный конструкция, которая обеспечивает стабильную работу даже в суровых условиях. Этот MOSFET обычно используется в таких приложениях, как преобразователи DC-DC, двигательные диски и солнечные инверторы, где эффективность и надежность имеют первостепенное значение. Его компактный пакет также делает его подходящим для дизайнов с ограниченным пространством, что способствует более мелким и более эффективным электронным устройствам. Проблема не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.