STGWA40N120KD

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания - RX Electronics - предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. STGWA40N120KD от STMicroElectronics представляет собой высокопроизводительный MOSFET, предназначенный для применения в обращении с энергетикой. Этот N-канальный кремниевый карбид (SIC) MOSFET оснащен напряжением расщепления 1200 В, что обеспечивает устойчивость в высоковольтных средах. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) обычно 40 МОм при 25 ° C он обеспечивает низкие потери проводимости, что делает его идеальным для эффективного управления питанием. Устройство эффективно работает в пределах температурного диапазона от -55 ° C до +175 ° C, предлагая надежную производительность в экстремальных условиях. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, повышая общую эффективность системы. STGWA40N120KD размещается в упаковке TO-247, обеспечивая превосходную термическую диссипацию и механическую стабильность. Этот MOSFET, подходящий для солнечных инверторов, электромобилей и промышленных источников питания, сочетает в себе расширенную технологию с превосходной надежностью, поддерживая энергетические системы следующего поколения, требующие высокой эффективности и компактного дизайна. Пожалуйста, нажмите «Подать запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.