STH110N8F7-2

Подробности продукции

Если вам требуется запас STH110N8F7-2, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. STH110N8F7-2-это усовершенствованный мощный MOSFET от Stmicroelectronics, известного производителя полупроводников. Этот чип может похвастаться низким сопротивлением штата (RDS (ON)) для высокой эффективности управления питанием, что имеет решающее значение для снижения потери мощности в приложениях. Он имеет номинальное напряжение дренажного источника (VDS) 800 В и максимальный ток дренажа (ID) 7A, что делает его подходящим для обработки высокого напряжения и нагрузок тока. Его быстрая скорость переключения повышает производительность системы, в то время как его небольшой размер упаковки позволяет экономить пространство. STH110N8F7-2 разработан с учетом устойчивости, предлагая превосходную тепловую стабильность и надежность. Его преимущества заключаются в его сочетании с высокой обработкой тока, высокой толерантности к напряжению и низкой RDS (ON), что приводит к повышению энергоэффективности и минимизированной генерации тепла. Он находит широкое использование в таких приложениях, как схемы питания, управление двигателем и промышленная электроника, где имеют решающее значение высокая плотность мощности и эффективное преобразование мощности. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.