Дебют в области 3D DRAM о новом 3D -достижениях DRAM.
May 23,2022
Согласно сообщению иностранных СМИ, Huawei объявит о технологии 3D DRAM, разработанной в сотрудничестве с Институтом микроэлектроники Китайской академии наук на симпозиуме VLSI 2022, главной конференции в сфере интегрированной трассы.
Согласно отчету, Huawei и Китайская академия наук разработали конфигурацию CAA (канал на всеобъемлющий) на основе материала из оксида цинка индийного галлия (IGZO), который обладает превосходной стабильностью и надежностью температуры.
Согласно предыдущим сообщениям, в IEDM 2021, состоявшемся в прошлом году, команда Ли Линга, исследователь из Института микроэлектроники Китайской академии наук и команда Huawei/Hisilicon совместно предложила новое вертикальное кознательное канал Структура канала (CAA ) впервые, что эффективно уменьшает область устройства. И он поддерживает многослойную укладку. Непосредственно соединяя верхние и нижние устройства CAA, размер каждой ячейки памяти может быть уменьшен до 4F2, что дает IGZO-Dram преимущество плотности и, как ожидается, преодолеет проблемы масштабирования традиционной 1T1C-драм.
Согласно отчету, Huawei и Китайская академия наук разработали конфигурацию CAA (канал на всеобъемлющий) на основе материала из оксида цинка индийного галлия (IGZO), который обладает превосходной стабильностью и надежностью температуры.
Согласно предыдущим сообщениям, в IEDM 2021, состоявшемся в прошлом году, команда Ли Линга, исследователь из Института микроэлектроники Китайской академии наук и команда Huawei/Hisilicon совместно предложила новое вертикальное кознательное канал Структура канала (CAA ) впервые, что эффективно уменьшает область устройства. И он поддерживает многослойную укладку. Непосредственно соединяя верхние и нижние устройства CAA, размер каждой ячейки памяти может быть уменьшен до 4F2, что дает IGZO-Dram преимущество плотности и, как ожидается, преодолеет проблемы масштабирования традиционной 1T1C-драм.