Samsung запускает первый в отрасли чип 24 ГБ GDDR7 с скоростью до 42,5 Гбит / с.
Oct 21,2024
Samsung запустил первый в отрасли чип памяти GDDR7 DRAM 24 ГБ (3 ГБ), который может обеспечить сверхвысокие скорости до 42,5 Гбит / с и поддержать графические процессоры следующего поколения.Из -за многочисленных улучшений и обновлений Samsung требует увеличения плотности на 50% и повышения эффективности на 30% по сравнению с предыдущим поколением.Эти модули GDDR7 24 ГБ в настоящее время подтверждаются основными производителями графических процессоров и планируются массово производство в начале 2025 года.
В июле 2023 года Samsung запустил первую в мире память GDDR7 с номинальной скоростью 32 Гбит / с и модульной емкостью 16 ГБ (2 ГБ) на модуль.По сравнению с уже выпущенным модулем GDDR7 Samsung, новый IC увеличивает увеличение пропускания на 25% и увеличение в 2,36 раза по сравнению с продуктом GDDR6 предыдущего поколения предыдущего поколения.С точки зрения производства, память Samsung 24 ГБ GDDR7 использует 10 -нм узел компании пятого поколения компании, который увеличивает плотность на 50% в том же размере пакета.
Чтобы достичь этих беспрецедентных высот, Samsung принял сигнал PAM3, используя три сигнала (-1, 0,+1) для передачи данных.Эти новые модули памяти могут легко достигать 40 Гбит / с, но при определенных условиях они также могут достигать 42,5 Гбит / с, что почти на 80% быстрее, чем скорость, обеспечиваемая GDDR6X (24 Гбит / с).
Чтобы решить проблемы с эффективностью, Samsung утверждает, что его новая память GDDR7 на 30% более эффективна, чем предыдущее поколение, благодаря таким технологиям, как управление управлением часами и дизайн двойного напряжения (VDD).Кроме того, проблема утечки тока решается с помощью конструкции стробирования питания, которая может отключить неиспользованные части чипа.
В предыдущем поколении GDDR6/X использовались модули памяти 16 ГБ (2 ГБ).Продукт Samsung GDDR7 увеличил способность памяти каждого модуля в 1,5 раза, что, как ожидается, приведет к более высокой емкости VRAM (отображаемой памяти) к следующему поколению графических процессоров.Ниже приведен краткий обзор ожидаемых результатов для производителей графических процессоров с использованием модулей 42,5 Гбит / с 24 ГБ (3 ГБ) с различной шириной шины:
128 бит: 12 ГБ VRAM, 680 ГБ/с
192 бита: 18 ГБ VRAM, 1020 ГБ/с
256 бит: 24 ГБ VRAM, 1360 ГБ/с
320 бит: 30 ГБ VRAM, 1700 ГБ/с
512 бит: 48 ГБ VRAM, 2720GB/s
Это должно быть хорошей новостью для геймеров, так как графическому процессору предыдущего поколения было препятствовало отсутствия VRAM.В настоящее время даже 1080p требует более 8 ГБ памяти, поэтому мы надеемся, что производители графических процессоров не будут скупы с мощностью следующего поколения памяти.Тем не менее, следующее поколение графических процессоров начального уровня, вероятно, будет придерживаться существующих модулей GDDR6 16 ГБ из-за их более низких затрат на производство.
В июле 2023 года Samsung запустил первую в мире память GDDR7 с номинальной скоростью 32 Гбит / с и модульной емкостью 16 ГБ (2 ГБ) на модуль.По сравнению с уже выпущенным модулем GDDR7 Samsung, новый IC увеличивает увеличение пропускания на 25% и увеличение в 2,36 раза по сравнению с продуктом GDDR6 предыдущего поколения предыдущего поколения.С точки зрения производства, память Samsung 24 ГБ GDDR7 использует 10 -нм узел компании пятого поколения компании, который увеличивает плотность на 50% в том же размере пакета.
Чтобы достичь этих беспрецедентных высот, Samsung принял сигнал PAM3, используя три сигнала (-1, 0,+1) для передачи данных.Эти новые модули памяти могут легко достигать 40 Гбит / с, но при определенных условиях они также могут достигать 42,5 Гбит / с, что почти на 80% быстрее, чем скорость, обеспечиваемая GDDR6X (24 Гбит / с).
Чтобы решить проблемы с эффективностью, Samsung утверждает, что его новая память GDDR7 на 30% более эффективна, чем предыдущее поколение, благодаря таким технологиям, как управление управлением часами и дизайн двойного напряжения (VDD).Кроме того, проблема утечки тока решается с помощью конструкции стробирования питания, которая может отключить неиспользованные части чипа.
В предыдущем поколении GDDR6/X использовались модули памяти 16 ГБ (2 ГБ).Продукт Samsung GDDR7 увеличил способность памяти каждого модуля в 1,5 раза, что, как ожидается, приведет к более высокой емкости VRAM (отображаемой памяти) к следующему поколению графических процессоров.Ниже приведен краткий обзор ожидаемых результатов для производителей графических процессоров с использованием модулей 42,5 Гбит / с 24 ГБ (3 ГБ) с различной шириной шины:
128 бит: 12 ГБ VRAM, 680 ГБ/с
192 бита: 18 ГБ VRAM, 1020 ГБ/с
256 бит: 24 ГБ VRAM, 1360 ГБ/с
320 бит: 30 ГБ VRAM, 1700 ГБ/с
512 бит: 48 ГБ VRAM, 2720GB/s
Это должно быть хорошей новостью для геймеров, так как графическому процессору предыдущего поколения было препятствовало отсутствия VRAM.В настоящее время даже 1080p требует более 8 ГБ памяти, поэтому мы надеемся, что производители графических процессоров не будут скупы с мощностью следующего поколения памяти.Тем не менее, следующее поколение графических процессоров начального уровня, вероятно, будет придерживаться существующих модулей GDDR6 16 ГБ из-за их более низких затрат на производство.