Правительство Японии планирует инвестировать 100 миллиардов иен в Rapidus в поддержку массового производства 2NM
Feb 10,2025
Согласно сообщениям, правительство Японии завершило поправку 7 февраля, планируя инвестировать 100 миллиардов иен в Рапид во второй половине 2025 года и выпустить полупроводниковые облигации для обеспечения финансирования.Часть Фонда помощи будет поднята путем выпуска новой казначейской облигации «передовой задолженность по технологиям, связанную с полупроводником/AI».Рапид, литейный завод, стремится к массовому производству 2 -нм чипов к 2027 году.
Правительство Японии планирует выделить более 10 триллионов иен в финансировании для поддержки индустрии искусственного интеллекта (ИИ)/полупроводниковых индустрии к концу 2030 года.
Rapidus строит 2 -нм завод в Хоккайдо с целью начала массового производства к 2027 году. Для достижения 2 -нм массового производственного плана, по оценкам, Rapidus потребуется примерно 5 триллионов иен в финансировании, и, хотя японское правительство решило предоставить 920миллиард иен в помощь Rapidus, все еще существует разрыв в финансировании примерно 4 триллиона иен.
Во время выступления в Саппоро, Хоккайдо 4 февраля, президент Rapidus Junichi Koike заявил, что «строительство завода прогрессирует плавно, и более 200 единиц оборудования будут перенесены. Проблема чипов 2 -нм начнется 1 апреля.
TSMC лидирует в массовом производстве 2 -нм чипов.Джуничи Койк однажды заявил в декабре 2024 года, что «TSMC начнет массовое производство раньше. Однако у Rapidus есть преимущество в скорости процесса, и урожайность и производительность могут как можно скорее догнать TSMC.
Кроме того, в отчете говорится, что Rapidus также планирует сотрудничать с американской полупроводниковой компанией Broadcom, которая стремится предоставить выборки 2 -нм к июню этого года.После того, как производительность будет подтверждена, Broadcom поручает Rapidus производить полупроводники.
Правительство Японии планирует выделить более 10 триллионов иен в финансировании для поддержки индустрии искусственного интеллекта (ИИ)/полупроводниковых индустрии к концу 2030 года.
Rapidus строит 2 -нм завод в Хоккайдо с целью начала массового производства к 2027 году. Для достижения 2 -нм массового производственного плана, по оценкам, Rapidus потребуется примерно 5 триллионов иен в финансировании, и, хотя японское правительство решило предоставить 920миллиард иен в помощь Rapidus, все еще существует разрыв в финансировании примерно 4 триллиона иен.
Во время выступления в Саппоро, Хоккайдо 4 февраля, президент Rapidus Junichi Koike заявил, что «строительство завода прогрессирует плавно, и более 200 единиц оборудования будут перенесены. Проблема чипов 2 -нм начнется 1 апреля.
TSMC лидирует в массовом производстве 2 -нм чипов.Джуничи Койк однажды заявил в декабре 2024 года, что «TSMC начнет массовое производство раньше. Однако у Rapidus есть преимущество в скорости процесса, и урожайность и производительность могут как можно скорее догнать TSMC.
Кроме того, в отчете говорится, что Rapidus также планирует сотрудничать с американской полупроводниковой компанией Broadcom, которая стремится предоставить выборки 2 -нм к июню этого года.После того, как производительность будет подтверждена, Broadcom поручает Rapidus производить полупроводники.