2N6338G

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для 2N6338G, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. On Semiconductor 2N6338G является высокопроизводительным, общим N-канальным MOSFET, предназначенным для эффективного управления питанием. Этот MOSFET имеет низкое сопротивление в штате (RDS (ON)), которое позволяет ему обрабатывать потоки высокого тока с минимальным падением напряжения, тем самым снижая потерю мощности и генерацию тепла. Его быстрая скорость переключения повышает отзывчивость системы и повышает общую эффективность переключения приложений.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 100 В, непрерывный ток дренажа (ID) в диапазоне от 34a до 57a в зависимости от температуры и небольшой вариант упаковки, такой как TO-220Ab, для ограниченных космических конструкций Полем 2N6338G также предлагает хорошую тепловую стабильность, обеспечивая надежную работу в различных температурных условиях.

Его преимущества заключаются в сочетании с низким RD (ON), высокой обработкой тока и компактной упаковкой, что делает его подходящим для широкого спектра приложений, включая преобразователи DC-DC, управление двигателем, переключатели нагрузки и системы управления аккумуляторами в промышленных, автомобильных и потребительская электроника. Его надежность и эффективность делают 2N6338G идеальным выбором для дизайнеров, ищущих оптимальные решения в области энергетики. Цена и время выполнения выполнения 2N6338G в зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов,, пожалуйста Мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.