2N6491G

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Транзистор 2N6491G, производимый на полупроводнике, является высокопроизводительным эпитаксиальным планом NPN, является высокопроизводительным эпитаксиальным планом NPN. Транзистор, предназначенный для приложений по переключению и усилению общего назначения. Это устройство имеет исключительно низкий уровень шума, что делает его подходящим для аудио и радиочастотных приложений, где ясность сигнала имеет первостепенное значение. 2N6491G работает эффективно в широком диапазоне частот, от уровней постоянного тока до MHZ, предлагая превосходное усиление и линейность.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение коллекционера-эмиттер (VCEO) 150 В, непрерывный ток коллектора (IC) до 3А и рассеяние мощности (PTOT) 65 Вт. Его надежный дизайн обеспечивает надежную производительность в различных условиях окружающей среды.

Этот транзистор находит широкое использование в потребительской электронике, автомобильных системах и промышленном управлении. Типичные приложения включают в себя усилители аудио, схемы управления двигателем и регулирование источника питания. Его универсальность и надежность делают 2N6491G предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих высокопроизводительный транзистор NPN. Цена и время выполнения заказа на 2N6491G в зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в рамках 24 часа, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.