2SC5658RM3T5G

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник 2SC5658RM3T5G, то вы попали по адресу! Наша компания RX ELECTRONICS является дистрибьютором этого компонента по всему миру. Кроме того, мы также поставляем электронные компоненты различных известных брендов. 2SC5658RM3T5G — это биполярный переходной транзистор (BJT), производимый компанией ON Semiconductor, предназначенный для высокочастотного усиления и переключения. Этот NPN-транзистор имеет компактный корпус MNB3 для поверхностного монтажа, обеспечивающий высокую плотность интеграции в современные электронные системы. Он обеспечивает напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 12 В и постоянный ток коллектора (IC) до 2 А, что делает его пригодным для низковольтного усиления мощности и коммутации сигналов. Благодаря превосходным характеристикам усиления и высокой скорости переключения устройство обеспечивает надежную работу на каскадах радиочастот и звуковых частот. 2SC5658RM3T5G обычно используется в портативных устройствах связи, беспроводных модулях, бытовой электронике и схемах управления питанием. Его конструкция не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS, что обеспечивает экологически чистое производство. Оптимизированный для эффективности и стабильности, этот транзистор идеально подходит для приложений, требующих компактного размера и высокой производительности в конструкциях с батарейным питанием и ограниченным пространством. Цена и время выполнения заказа на 2SC5658RM3T5G зависят от требуемого количества, отправьте нам запрос, наш отдел продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне надеемся на сотрудничество с вами.