| Номер детали производителя : | 2SC6017-E |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 64260 pcs Stock |
| Описание : | TRANS NPN 50V 10A TP |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 2SC6017-E.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 2SC6017-E |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN 50V 10A TP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 64260 pcs |
| Спецификация | 2SC6017-E.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 360mV @ 250mA, 5A |
| Тип транзистор | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства | TP |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 950mW |
| упаковка | Bulk |
| Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Другие названия | 2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 4 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 200MHz |
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 10µA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 10A |







TRANS NPN 50V 10A

TRANS NPN 230V 15A TO3P
TRANS NPN 50V 10A TP-FA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
BIP NPN 9A 15V
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

TRANS NPN 200V 15A TO3P
NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
BIP NPN 5A 30V