BCP69T1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN BCP69T1G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. BCP69T1G от ON Semiconductor представляет собой MOSFET с высокой производительностью, предназначенным для эффективного управления мощностью в различных электронных применениях. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 4,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. С номиналом напряжения источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывным током дренажа (ID) до 82A BCP69T1G хорошо подходит для требовательных применений переключения питания. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных конструкций, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателем и нагрузочные переключатели. Устройство расположено в термически улучшенном платеже, обеспечивая превосходное рассеяние тепла и надежность в компактных форм -факторах. Кроме того, BCP69T1G поддерживает работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C), обеспечивая повышенную производительность в экстремальных условиях. Превосходные тепловые и электрические характеристики этого МОСФЕТ делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать эффективность и пространство в своих энергетических системах. Цена и время заказа для BCP69T1G в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем, чтобы мы собирались с вами.