Номер детали производителя : | FDD6530A |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 765 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FDD6530A.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FDD6530A |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 765 pcs |
Спецификация | FDD6530A.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±8V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
Серии | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 8A, 4.5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.3W (Ta), 33W (Tc) |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | FDD6530A-ND FDD6530ATR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 42 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 710pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
Подробное описание | N-Channel 20V 21A (Ta) 3.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 21A (Ta) |
MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK