| Номер детали производителя : | FDD7N25LZTM |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 1262 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | FDD7N25LZTM.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | FDD7N25LZTM |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 1262 pcs |
| Спецификация | FDD7N25LZTM.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D-Pak |
| Серии | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 56W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия | FDD7N25LZTM-ND FDD7N25LZTMTR |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 11 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 635pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 250V |
| Подробное описание | N-Channel 250V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.2A (Tc) |







MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3