FDN352AP

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FDN352AP, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. FDN352AP от On Semiconductor-это N-канальное улучшение MOSFET MOSFET, предназначенный для высокоскоростных приложений переключения. Это устройство поверхностного монтажа (SMD) оснащено низким уровнем устойчивости (RDS (ON)) 0,16 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает эффективную доставку мощности и минимальное тепло. FDN352AP работает в диапазоне напряжений -источников от -12 В до +20 В и может обрабатывать непрерывный ток дренажа (ID) до 4,8a. Его максимальное напряжение дренажного источника (VDS) составляет 60 В, что делает его подходящим для широкого спектра напряжений в автомобильной, промышленной и потребительской электронике.

Компактный пакет SC-70 позволяет создавать космические проекты, сохраняя при этом надежную производительность. Ключевые приложения включают переключатели нагрузки, схемы управления двигателем и системы управления питанием. FDN352AP также предлагает превосходную тепловую стабильность и быстрые скорости переключения, снижение потери мощности и повышение общей эффективности системы. Благодаря своей надежной работе и универсальным возможностям, этот MOSFET является идеальным выбором для дизайнеров, ищущих высокопроизводительные решения в требовательных средах. Назначьте нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!