FDP26N40

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN FDP26N40 имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. FDP26N40, изготовленный на полупроводнике, является высокопроизводительным N- N- MOSFET режима улучшения канала, предназначенный для приложений, требующих как высокой эффективности, так и надежности. Это устройство имеет максимальное напряжение дренажного источника (VDS) 40 В и может обрабатывать непрерывный канатный ток (ID) до 26А, что делает его идеальным для систем управления питанием в различных отраслях, включая автомобильную, промышленную и потребительскую электронику. Ключевые характеристики включают низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) для снижения потерь проводимости, быстрые скорости переключения, которые повышают эффективность системы и надежную защиту от термического бега. Его превосходная производительность в суровых условиях делает FDP26N40, особенно подходящим для преобразования питания, управления двигателем и систем управления батареями, где имеют решающее значение компактные размеры и высокая производительность. Кроме того, его широкий диапазон рабочей температуры (от -55 ° C до 150 ° C) обеспечивает надежную работу в экстремальных средах. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.