Номер детали производителя : | FDP65N06 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 1055 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FDP65N06(1).pdfFDP65N06(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FDP65N06 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1055 pcs |
Спецификация | FDP65N06(1).pdfFDP65N06(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
Серии | UniFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 32.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 135W (Tc) |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-220-3 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 9 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Подробное описание | N-Channel 60V 65A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 65A (Tc) |
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET