FDZ203N

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. FDZ203N из полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для применения электроэнергии. Это устройство имеет чрезвычайно низкую на устойчивость (RDS (ON)) 2,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность в системах преобразования мощности. Его максимальное напряжение дренажного источника (VDS) оценивается при 30 В, что делает его подходящим для применений низкого и среднего напряжения.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, которые снижают потери переключения и превосходную тепловую стабильность, обеспечивая надежную работу в широком диапазоне температур. FDZ203N также имеет надежную структуру оксида ворот, которая повышает надежность в суровых условиях.

Этот MOSFET находит широкое использование в различных приложениях, таких как преобразователи DC-DC, схемы управления двигателем и системы управления аккумуляторами. Он особенно хорошо подходит для потребительской электроники, автомобильной электроники и промышленной автоматизации, где имеют решающее значение компактные размеры и высокая эффективность. Его небольшая площадь и пакет с поверхностным монтиром делает его идеальным для ограниченных космических проектов. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.