| Номер детали производителя : | FGA6540WDF |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 785 pcs Stock |
| Описание : | IGBT 650V 80A 238W TO-3PN |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | FGA6540WDF.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | FGA6540WDF |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | IGBT 650V 80A 238W TO-3PN |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 785 pcs |
| Спецификация | FGA6540WDF.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 650V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| режим для испытаний | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | 16.8ns/54.4ns |
| Переключение энергии | 1.37mJ (on), 250µJ (off) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-3PN |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 101ns |
| Мощность - Макс | 238W |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Заряд затвора | 55.5nC |
| Подробное описание | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 120A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 80A |







IGBT 650V 120A 600W TO3P
IGBT 650V 60A 176W TO3PN
IGBT 600V 120A 298W TO3P
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 300V 201W TO3P
IGBT, 300V, N-CHANNEL
IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
IGBT 300V 201W TO3P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO