FQB2N80TM

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для FQB2N80TM, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. FQB2N80TM от ON Semiconductor представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективных применений переключения. Он имеет ультра-низкую на резистентность (RDS (ON)) 8,7 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальную потерю мощности и тепло. Это делает его идеальным для использования в системах управления питанием, управления двигателем и автомобильной электроники.

С максимальным напряжением источника источника (VDS) 80 В и непрерывным током дренажа (ID) до 169A FQB2N80TM может обрабатывать требовательную промышленную и автомобильную среду. Его быстрое переключение снижает электромагнитные помехи (EMI) и повышает общую эффективность системы. Устройство размещено в надежном пакете до 247, обеспечивающих превосходные тепловые характеристики и механическую долговечность.

FQB2N80TM также включает в себя интегрированную защиту ESD, повышение надежности в чувствительных цепях. Его превосходная тепловая стабильность и низкий заряд (QG) способствуют надежной работе в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C). Этот MOSFET соответствует ROHS, обеспечивая экологически чистые производственные процессы. Идеально подходит для дизайнеров, стремящихся к высокой эффективности и надежности в приложениях для преобразования питания и приложений двигателя. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.