Номер детали производителя : | FQP5P10 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 2250 pcs Stock |
Описание : | MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FQP5P10(1).pdfFQP5P10(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FQP5P10 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2250 pcs |
Спецификация | FQP5P10(1).pdfFQP5P10(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
Серии | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 40W (Tc) |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-220-3 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | P-Channel 100V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.5A (Tc) |
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220