H11N2FVM

Подробности продукции

Если вам требуется запас H11N2FVM, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. Этот IC -чип имеет кремниевую фототрансисторную выходную мощность в сочетании с инфракрасным светодиодным входом GAAS, обеспечивая отличный шумовой иммунитет и электрическую изоляцию до 5000 дюймов. Его ключевые характеристики включают коэффициент передачи тока (CTR) от 50% до 150%, обеспечивая стабильную производительность в различных условиях эксплуатации и оперативную продолжительность жизни, превышающую 100 000 часов.

H11N2FVM работает в пределах температурного диапазона от -40 ° C до +105 ° C, что делает его подходящим для промышленных сред. Он находит широкое использование в расходных материалах, системах управления двигателями и твердотельных реле, где гальваническая изоляция имеет решающее значение. Кроме того, его компактный пакет DIP-4 облегчает легкую интеграцию в конструкции с ограниченным пространством. Благодаря его надежному проектированию и надежности, H11N2FVM идеально подходит для приложений, требующих эффективной передачи данных при сохранении стандартов безопасности и изоляции. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.