MGSF1N02LT1

Подробности продукции

Если вам требуется запас MGSF1N02LT1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. MGSF1N02LT1-это высокопроизводительный MOSE-режим N-канала, производимый в полупроводнике. Это устройство предназначено для того, чтобы предлагать отличные характеристики переключения и низкую настойчивости (RDS (ON)), что делает его идеальным для широкого спектра приложений управления питанием. Он работает эффективно при напряжении до 60 В, обеспечивая надежную производительность в требовательных средах.

Ключевые характеристики MGSF1N02LT1 включают его ультра-низко-низкий RDS (ON) 2,5 МОм при VGS = 10 В, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает эффективность системы. MOSFET также может похвастаться быстрыми скоростями переключения, снижая потери переключения и улучшая общую производительность. Его компактный пакет DPAK обеспечивает эффективную термическую диссипацию, что делает его подходящим для конструкций с ограниченными пространством.

Этот MOSFET находит широкое использование в автомобильной электронике, промышленном управлении и потребительской электронике. Общие приложения включают управление двигателем, нагрузки и преобразователи DC-DC. Надежность и производительность MGSF1N02LT1 делают его предпочтительным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать доставку и эффективность питания в своих проектах. Цена и срок выполнения заказа для MGSF1N02LT1 В зависимости от требуемого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос, наша команда продаж предоставит вам цену цену. И доставка в течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.