MJE5852G

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для MJE5852G, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. MJE5852G из On Semiconductor представляет собой высокопроизводительный кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN NPN, предназначенный для применений общего назначения и усиления. Он имеет превосходную комбинацию высокого усиления тока, низкого напряжения насыщения и быстрой скорости переключения, что делает его идеальным для широкого диапазона электронных цепей.

Этот транзистор имеет максимальное напряжение коллекционера-эмиттера (VCE) 100 В, напряжение с коллекторной базой (VCB) 100 В и напряжение разбивки с коллектором-эмиттер (BVCBO) 125 В. Максимальный ток коллекционера (IC) составляет 15А, что обеспечивает надежную производительность в требовательных приложениях. Его непрерывное рассеяние мощности составляет до 115 Вт при температуре окружающей среды 25 ° C.

MJE5852G работает эффективно в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +150 ° C), повышая надежность в различных условиях окружающей среды. Он расположен в пакете TO-247, обеспечивая превосходные тепловые характеристики и простоту интеграции в проекты печатных плат. Приложения включают в себя электроэнергию, управление двигателем, аудио оборудование и системы промышленной автоматизации. Этот универсальный транзистор соответствует строгим стандартам качества, обеспечивая долгосрочную и надежную производительность в различных проектах по электронике. Назнакомительно обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!