MMFZ10T3G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MMFZ10T3G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MMFZ10T3G от ON Semiconductor представляет собой MSFET с высокой производительностью, предназначенный для эффективных применений смены мощности. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 2,4 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Благодаря рейтингу напряжения источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывной способностью тока дренажа (ID) составляет до 68A, он хорошо подходит для требовательных приложений, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателем и переключение нагрузки в автомобильной и промышленной среде.

MMFZ10T3G, расположенный в компактном термически улучшенном пакете SOT227B, предлагает превосходные тепловые характеристики, что позволяет для более высоких конструкций плотности мощности. Его заряд затвора (QG) оптимизирован для быстрой скорости переключения, уменьшая потери переключения и повышение общей эффективности. Кроме того, устройство обеспечивает надежную прочность против электрических напряжений, обеспечивая надежную работу даже в суровых условиях.

MMFZ10T3G поддерживает широкий спектр приложений, включая системы управления аккумуляторами, телекоммуникационную инфраструктуру и потребительскую электронику. Его комбинация низких RDS (ON), высоких тока и превосходных тепловых характеристик делает его идеальным выбором для дизайнеров, ищущих эффективные и надежные решения Power. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.