NSVBAS20LT3G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NSVBAS20LT3G, к счастью, вы попадете в нужно N-канальный режим усовершенствования MOSFET, изготовленный на полупроводнике. Это устройство специально разработано для того, чтобы предложить превосходные характеристики переключения и низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) в компактных приложениях. С максимальным напряжением источника источника (VDS) 30 В и непрерывным канатным током (ID) до 20А, он обеспечивает надежную работу в требующих системах управления питанием.

Ключевые особенности NSVBAS20LT3G включают его ультра-низкий RDS (ON) 2,6 мД при VGS = 10 В, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает эффективность. Устройство также может похвастаться быстрой скоростью переключения, уменьшая потери переключения и улучшая общую производительность системы. Его термически улучшенный пакет SO-8 облегчает эффективное тепловое рассеяние, что делает его подходящим для мощных конструкций плотности.

Этот MOSFET широко используется в различных приложениях, таких как управление двигателем, расходные материалы, системы управления аккумуляторами и автомобильная электроника. Его надежный дизайн и превосходная тепловая производительность делают его идеальным выбором для инженеров, ищущих надежные и эффективные решения для переключения питания в средах с ограниченными пространством. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.