DMN2501UFB4-7

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN DMN2501UFB4-7 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите аутентичный и надежный источник продуктов на электронике RX. DMN2501UFB4-7 от Diodes Incorporated представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для применений с низким содержанием головы. Он имеет ультра-низкую на резистентность (RDS (ON)) 3,9 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность. Это устройство работает в пределах диапазона напряжения от -0,3 В до 8,0 В (VGS) и может обрабатывать непрерывный канатный ток до 62A, что делает его подходящим для требовательных задач управления питанием.

Одним из его ключевых преимуществ является термически улучшенный пакет SOIC-8, который обеспечивает превосходное рассеяние тепла, повышая надежность в компактных конструкциях. DMN2501UFB4-7 также может похвастаться быстрыми скоростями переключения, снижая потери переключения и улучшая общую производительность системы. Его надежная конструкция включает защиту от электростатического разряда (ESD), обеспечивая надежную работу в различных средах.

Этот MOSFET идеально подходит для широкого спектра приложений, таких как преобразователи DC-DC, схемы управления двигателями, системы управления батареями и портативную электронику, где эффективные решения по доставке питания и решения для экономии пространства имеют решающее значение. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.