Номер детали производителя : | EPC2215 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 16543 pcs Stock |
Описание : | GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2215(1).pdfEPC2215(2).pdfEPC2215(3).pdfEPC2215(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2215 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 16543 pcs |
Спецификация | EPC2215(1).pdfEPC2215(2).pdfEPC2215(3).pdfEPC2215(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 6mA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17.7 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 32A (Ta) |
GANFET N-CH 100V DIE
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
GANFET N-CH 80V 10A DIE
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
TRANS GAN DUAL 100V.11OHM 9BMPD
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
GANFET N-CH 80V 90A DIE
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
GANFET N-CH 100V 18A DIE