Номер детали производителя : | EPC8002 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 53742 pcs Stock |
Описание : | GANFET N-CH 65V 2A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC8002(1).pdfEPC8002(2).pdfEPC8002(3).pdfEPC8002(4).pdfEPC8002(5).pdfEPC8002(6).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC8002 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET N-CH 65V 2A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 53742 pcs |
Спецификация | EPC8002(1).pdfEPC8002(2).pdfEPC8002(3).pdfEPC8002(4).pdfEPC8002(5).pdfEPC8002(6).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 500mA, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 21 pF @ 32.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 65 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2A (Ta) |
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
BD DEMO FBG04N30/GAM01P-C-PSE
BD DEMO FBG20N18/GAM01P-C-PSE
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
EVAL 3PHS MOTOR CNTRL GAM02
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE