Номер детали производителя : | EPC8010 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 18510 pcs Stock |
Описание : | GANFET N-CH 100V 4A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC8010(1).pdfEPC8010(2).pdfEPC8010(3).pdfEPC8010(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC8010 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET N-CH 100V 4A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 18510 pcs |
Спецификация | EPC8010(1).pdfEPC8010(2).pdfEPC8010(3).pdfEPC8010(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 55 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
GANFET N-CH 65V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP