Номер детали производителя : | FDMD8900 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Fairchild/ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 15410 pcs Stock |
Описание : | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FDMD8900 |
---|---|
производитель | Fairchild/ON Semiconductor |
Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 15410 pcs |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 12-Power3.3x5 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 19A, 10V |
Мощность - Макс | 2.1W |
Упаковка / | 12-PowerWDFN |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2605pF @ 15V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19A, 17A |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | FDMD89 |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
MOSFET 2N-CH 100V
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
MOSFET 2N-CH 30V POWER
MOSFET 80V 16A POWER 5X6