Номер детали производителя : | NDS356P | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Fairchild/ON Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NDS356P |
---|---|
производитель | Fairchild/ON Semiconductor |
Описание | MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±12V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 1.3A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 500mW (Ta) |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.1A (Ta) |
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16