Номер детали производителя : | GPI65005DF |
---|---|
Статус RoHS : | Непригодный |
Изготовитель / Производитель : | GaNPower |
Состояние на складе : | 200 pcs Stock |
Описание : | GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GPI65005DF.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GPI65005DF |
---|---|
производитель | GaNPower |
Описание | GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Непригодный |
Кол-во в наличии | 200 pcs |
Спецификация | GPI65005DF.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.75mA |
Vgs (макс.) | +7.5V, -12V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 45 pF @ 400 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.6 nC @ 6 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5A |
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
SWITCH SLIDE DP3T 3A 125V
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8
Power IC based on Power GaN HEMT
SWITCH SLIDE DP3T 3A 125V
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
SWITCH SLIDE DP3T 3A 125V