Номер детали производителя : | GPI65015TO |
---|---|
Статус RoHS : | Непригодный |
Изготовитель / Производитель : | GaNPower |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | GANFET N-CH 650V 15A TO220 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GPI65015TO.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GPI65015TO |
---|---|
производитель | GaNPower |
Описание | GANFET N-CH 650V 15A TO220 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Непригодный |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GPI65015TO.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
Vgs (макс.) | +7.5V, -12V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 123 pF @ 400 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.3 nC @ 6 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 15A |
GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8
Power IC based on Power GaN HEMT
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L
IC GAN POWER 650V 8A DFN5X6
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8