| Номер детали производителя : | MSRT100100D |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | 1000V 100A THREE TOWER SILICON R |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MSRT100100D.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MSRT100100D |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | 1000V 100A THREE TOWER SILICON R |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | MSRT100100D.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 100 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | Three Tower |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Series Connection |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 100A |
| Базовый номер продукта | MSRT100 |







CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
1200V 100A THREE TOWER SILICON R
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508