Номер детали производителя : | G4S06506HT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G4S06506HT.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G4S06506HT |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G4S06506HT.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 6 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 Full Pack |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 9.7A |
Емкостной @ В.Р., F | 181pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252
DIODE SIC 650V 11.6A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 31A TO252
DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
DIODE SIC 650V 30.5A TO220AC
DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252