HGTG30N60B3

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX ELECTRONICS., предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. HGTG30N60B3 является высокопроизводительной интегральной схемой (IC), предназначенной для устройств питания, особенно в высоковольтной, высокочастотной технологии GaN-on-SiC. Ключевые особенности этого устройства включают:

1. Транзистор (HGT): Он предлагает исключительную прибыль и эффективность, что позволяет улучшить управление питанием и уменьшить потери коммутации в приложениях электротехники.

2. 300В номинальное блокирующее напряжение: Это обеспечивает надежность от электрического стресса, что делает его пригодным для высоковольтных применений, таких как инверторы, двигательные приводы или источники питания.

3. 60A максимальный текущий рейтинг: Способный обрабатывать значительное количество тока, он обеспечивает эффективную передачу электроэнергии в промышленных и автомобильных системах.

4. Платформа карбида кремния (SiC): Внутренняя термическая проводимость SiC и низкий ток утечки обеспечивают повышенную тепловую производительность и надежность.

5. Быстрая скорость переключения: HGTG30N60B3 позволяет быстрее переключать время, что снижает EMI и повышает общую эффективность системы.

Преимущества чипа заключаются в его сочетании высокой эффективности, компактного размера и улучшенного термоуправления, что делает его идеальным для приложений, где пространство, вес и энергоэффективность имеют решающее значение, такие как возобновляемые энергетические системы, электромобили и промышленная автоматизация. Его пригодность для суровых сред и долгосрочной надежности делает его популярным выбором в современных электрониках. Пожалуйста, нажми на кнопку "Предоставить запрос", чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорого.