BCP51E6327HTSA1

Подробности продукции

Если вам требуется надежный источник для BCP51E6327HTSA1, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Это устройство представляет собой MOSFET-режим улучшения P-канала (полевой транзистор-эффект с оксидом металла), который предлагает низкие возможности на воздействии и быстрого переключения. Его расширенная конструкция обеспечивает минимальную потерю энергии и превосходные тепловые характеристики, что делает его идеальным для требовательных применений.

Ключевые особенности BCP51E6327HTSA1 включают максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 60 В, непрерывный ток дренажа (ID) до 4,2A и чрезвычайно низкий RDS (ON) 35 МОм при VGS = -10 В. Чип работает в широком диапазоне температуры от -55 ° C до +150 ° C, обеспечивая надежную производительность в различных условиях окружающей среды.

Этот MOSFET широко используется в автомобильной электронике, промышленном управлении и потребительских устройствах, где требуются компактные, надежные решения. Приложения включают в себя управление двигателем, переключение нагрузки, системы управления аккумуляторами и преобразователи DC-DC. Его небольшая площадь и высокая эффективность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать пространство и производительность в своих целях. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!