BSC265N10LSFGATMA1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет широкий выбор высококачественных электронных компонентов. BSC265N10LSFGATMA1 из инфинеонов Technologies представляет собой низковольтный N-канальный NO-канальный MOSFET. Он имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 2,65 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность в приложениях для преобразования питания. Это устройство поддерживает максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра промышленных и автомобильных систем, где устойчивость и надежность имеют решающее значение.

Одним из его ключевых преимуществ является тепловой пакет SO-8, который облегчает эффективное рассеяние тепла, тем самым повышая долговечность устройства и производительность в требовательных условиях. BSC265N10LSFGATMA1 также предлагает быстрые возможности переключения, уменьшая потери переключения и повышение общей эффективности системы.

Этот MOSFET идеально подходит для преобразователей DC-DC, цепей управления двигателями, систем управления аккумуляторами и других приложений управления питанием, требующих высокой эффективности и компактной конструкции. Его превосходные электрические характеристики и надежная производительность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать плотность мощности и тепловое управление в своих проектах. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.