BSM10GD120DN2BOSA1

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для BSM10GD120DN2BOSA1, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Это устройство оснащена расширенной технологией полевого стопа траншеи, которая обеспечивает превосходную производительность переключения и надежность. С напряжением источника дренажного источника (VDS) 1200 В и непрерывным током дренажного (ID) до 10А, оно превосходно в эффективном управлении мощными операциями.

Ключевые характеристики включают низкий уровень резистентности (RDS (ON)), быстрые скорости переключения и превосходную тепловую стабильность, что способствует более высокой эффективности и надежности системы. BSM10GD120DN2BOSA1 также интегрирует защитные особенности, такие как прочность на лавину и мягкое восстановление диода тела, повышая его долговечность в суровых условиях.

Этот MOSFET широко используется в различных приложениях, включая двигательные приводы, системы возобновляемых источников энергии, электромобили (EV) и расходные материалы. Его пакет компактных до-247 делает его подходящим для конструкций с ограниченными пространством, сохраняя при этом высокие стандарты производительности и надежности. В целом, BSM10GD120DN2BOSA1 предлагает надежное и эффективное решение для систем преобразования питания и управления. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.