FP75R07N2E4BOSA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. FP75R07N2E4BOSA1 из Infineon Technologies представляет собой высокопроизводительный мосфет, предназначенный для эффективного управления электроэнергией в различных электронных приложениях. Этот N-канальный режим улучшения полевого транзистора (FET) имеет низкий уровень на воздействии (RDS (ON)) 7,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальную потерю мощности и повышенную эффективность системы. С рейтингом напряжения источника источника (VDS) 700 В, он поддерживает надежную работу в требовательных цепях. Устройство эффективно работает в заряде затвора (QG) 18 NC, обеспечивая быстрые скорости переключения и снижение потребления энергии при переключении приложений.

Расположенный в отраслевом стандарте TO-247, FP75R07N2E4BOSA1 предлагает отличные тепловые характеристики, что делает его идеальным для мощных дизайнов плотности. Он хорошо подходит для промышленной, автомобильной и потребительской электроники, включая двигательные приводы, питания переключателя (SMPS) и преобразователи DC-DC. Его превосходная лавина обеспечивает надежную производительность в аномальных условиях. Кроме того, этот продукт придерживается строгих экологических стандартов, не содержащий галогенов и совместимый с ROHS. В целом, FP75R07N2E4BOSA1 обеспечивает оптимальный баланс эффективности, надежности и долговечности. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.