FS100R07N2E4B11BOSA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. FS100R07N2E4B11BOSA1 из Infineon Technologies является высокопроизводительным IGBT (Insulated Bater Transistor). Для эффективного преобразования энергии в промышленных и автомобильных приложениях. Этот IGBT 750V оснащен оптимизированной структурой поля для затвора траншеи, обеспечивающей низкую проводимость и потери переключения. Он поддерживает токи до 100А, что делает его подходящим для требовательных приложений, таких как моторные диски, системы возобновляемых источников энергии и электромобили.

Устройство интегрирует расширенные диоды мягкого восстановления, повышая надежность системы и уменьшая электромагнитные помехи (EMI). Его надежная конструкция обеспечивает надежную работу в суровых условиях, с превосходной тепловой стабильностью и возможностью противостояния короткого замыкания. FS100R07N2E4B11BOSA1 также предлагает компактный пакет TO-247, способствуя легкой интеграции в существующие конструкции при сохранении пространства.

Строгий контроль качества Infineon обеспечивает превосходную производительность и долговечность, что делает этот IGBT идеальным выбором для инженеров, ищущих надежные решения в области мощности. Благодаря своему балансу эффективности, долговечности и простоте использования, FS100R07N2E4B11BOSA1 выделяется в конкурсной ландшафте Power Electronics.Please Свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com на вашем раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.