FS75R12KE3_B3

Подробности продукции

Если вам требуется поставка FS75R12KE3_B3, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FS75R12KE3_B3 от Infineon Technologies представляет собой высокопроизводительный модуль IGBT (изолированный биполярный транзистор), предназначенный для надежных и эффективных приложений для преобразования энергии. Это устройство имеет номинальное напряжение 1200 В и текущий рейтинг 75A, что делает его подходящим для требования промышленной среды. Он интегрирует передовые диоды мягкого восстановления, чтобы минимизировать потери переключения и повысить общую эффективность системы.

Ключевые преимущества включают низкое напряжение насыщения, отличную способность термического велосипеда и превосходное время выдержания короткого замыкания, повышение надежности и долговечности. FS75R12KE3_B3 также предлагает уменьшенные электромагнитные помехи (EMI), что способствует более спокойной работе и более легкое соответствие нормативным стандартам.

Этот модуль IGBT, идеально подходящие для переменных скоростных дисков, систем возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и зарядные станции электромобилей, обеспечивает надежную производительность в мощных приложениях. Его компактный дизайн и оптимизированное тепловое управление делают его предпочтительным выбором для инженеров, стремящихся достичь более высокой плотности мощности и эффективности в своих проектах. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.