Номер детали производителя : | IDC08S60CEX1SA2 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 5909 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IDC08S60CEX1SA2.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IDC08S60CEX1SA2 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5909 pcs |
Спецификация | IDC08S60CEX1SA2.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7V @ 8A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | CoolSiC™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SP000599932 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Подробное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A (DC) Surface Mount Die |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 310pF @ 1V, 1MHz |
DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER
DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE
DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE
DC INPUT MODULE 24V
DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER
IC DIODE EMITTER CTLR WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER