IDD03SG60CXTMA2

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IDD03SG60CXTMA2, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Силиконовый карбид (SIC) MOSFET, предназначенный для требовательных применений преобразования электроэнергии. Это устройство оснащено напряжением расщепления 650 В, обеспечивающим устойчивость в высоковольтных средах. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) всего 30 миллиомов при 25 ° C, он обеспечивает исключительную эффективность и минимальные потери проводимости. IDD03SG60CXTMA2 поддерживает высокие частоты переключения, что делает его идеальным для компактных и эффективных источников питания, солнечных инверторов и моторных дисков. Его расширенная технология упаковки повышает тепловые характеристики и надежность, что обеспечивает превосходное рассеяние тепла. Собственная структура траншеи Infineon оптимизирует компромисс между потери переключения и проводимости, что приводит к более высокой эффективности системы. Этот MOSFET также включает в себя интегрированные функции защиты, такие как заряд с низким затвором и восстановление диодов быстрого тела, обеспечивая безопасную работу в различных условиях. В целом, IDD03SG60CXTMA2 предлагает убедительную комбинацию производительности, надежности и простоты использования, устанавливая новые стандарты в Power Electronics Design.Kindly обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!